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Rep. Adam Schiff said he's "exhausted by the private misgivings" among Republicans. | Damian Dovarganes/AP Photo
通用電氣GE再次成爲盜竊者的目標。(AP)

偷!GE又一華人工程師承認盜竊商業祕密

【希望之聲2020年5月30日】(本台記者季雲綜合編譯)週四(5月28日),就職於通用電氣(GE)全球研究部(既紐約州立大學綜合技術學院GE實驗室)的42歲的華裔工程師隋洋(Yang Sui,音譯)在紐約的聯邦法庭認罪,並承認他在2015年至2017年間,從GE竊取了多個與碳化硅MOSFET的研究、設計和製造有關的電子文件。隨洋並非第一個從GE竊取科技成果的華裔工程師。

GE實驗室當地媒體《Time Union》報導,認罪書說,隋洋多次從GE的資料服務器下載資料,並把資料發送到他的Gmail帳號,他回家後再把資料下載存檔。

隋洋還承認他打算利用碳化硅製造說明,開辦自己的公司。他還打算吸引3千萬美元的風險投資。聯邦檢察官的認罪書中還說,從2017年開始,被告就開始製作自己的商業計劃,打算開辦自己的私人企業,生產、銷售與GE研究、開發、設計及製造的相同的碳化硅產品。

紐約聯邦法院法官蒂阿格斯蒂諾(Mae A. D’Agostin)將於9月22日宣佈對隋楊的量刑。隋楊所犯的“竊取商業機密罪”面臨最高10年監禁,以及最高25萬美元或犯罪所獲財務收益兩倍的罰款,外加刑滿後最高三年監督釋放。根據認罪書, GE的損失估計至少50萬美元。

據隋楊在領英網(LinkedIn)上的個人信息,他於1996年考上北京清華大學,攻讀材料科學,之後在衣阿華州立大學和普渡大學分獲碩士和博士學位,攻讀博士期間他曾任普渡大學中國學生學者聯誼會副會長。2010年10月至2018年1月, 他在位於紐約上州Niskayuna的通用集團全球研發中心擔任半導體裝置工程師。

MOSFET是金屬氧化物半導體場效應晶體管,是一種可以廣泛用於模擬電路與數字電路的場效應晶體管。起訴書介紹,碳化硅MOSFET被用於通用電氣的各種零件和產品,包括航空設備和風力渦輪機。紐約州立大學綜合技術學院GE實驗室研究製造碳化硅芯片,這些芯片被用於製造電力電子開關。

隋洋不是第一位涉GE商業祕密盜竊案的華人科技人員。2014年,來自中國的電腦軟件工程師謝軍(Jun Xie,音譯)被控盜竊通用醫療集團(GE Healthcare)的商業機密,他竊取了工程設計、產品測試信息和業務戰略等內容的1.4 GB或240萬個文件,發送給中國的親戚。因他是H-1B工作簽證,定罪後即被遞解出境。

2018年,中共千人計劃”專家、GE工程師鄭小清在GE能源及水(GE Power & Water)部門工作期間,用“隱寫術”竊取包括天然氣與蒸氣渦輪科技設計模型、工程圖及其它細節的文件,並將這些檔案寄給在中國的商人張照曦 (Zhaoxi Zhang,音譯)。鄭小清案現正在審理中。

責任編輯:楊曉